SCT50N120 دیتاشیت

SCT50N120

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SCT50N120
حجم فایل 719.959 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت SCT50N120

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver 17 pages

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122nC @ 20V
  • Vgs (Max): +25V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 400V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 318W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: HiP247™
  • Package / Case: TO-247-3
  • Base Part Number: SCT50
  • detail: N-Channel 1200V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™

محصولات مشابه