STB33N60DM6 دیتاشیت

STB33N60DM6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STB33N60DM6
حجم فایل 632.385 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت STB33N60DM6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ M6
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • detail: N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه