SCTW35N65G2VAG دیتاشیت

SCTW35N65G2VAG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SCTW35N65G2VAG
حجم فایل 401.92 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت SCTW35N65G2VAG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: Automotive, AEC-Q101
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 20V
  • Vgs (Max): +22V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 400V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: HiP247™
  • Package / Case: TO-247-3
  • detail: N-Channel 650V 45A (Tc) 240W (Tc) Through Hole HiP247™

محصولات مشابه