SCTW100N65G2AG دیتاشیت

SCTW100N65G2AG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SCTW100N65G2AG
حجم فایل 429.497 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت SCTW100N65G2AG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: Automotive, AEC-Q101
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162nC @ 18V
  • Vgs (Max): +22V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 520V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 420W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: HiP247™
  • Package / Case: TO-247-3
  • detail: N-Channel 650V 100A (Tc) 420W (Tc) Through Hole HiP247™

محصولات مشابه