STP11N65M2 دیتاشیت

ST(D, P, U)11N65M2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ST(D, P, U)11N65M2
حجم فایل 775.53 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 27

مشاهده دیتاشیت ST(D, P, U)11N65M2-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ II Plus
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220
  • Package / Case: TO-220-3
  • Base Part Number: STP11N
  • detail: N-Channel 650V 7A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220

محصولات مشابه