STP11N65M2 دیتاشیت

ST(D, P, U)11N65M2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ST(D, P, U)11N65M2
حجم فایل 775.53 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 27

مشاهده دیتاشیت ST(D, P, U)11N65M2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ II Plus
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220
  • Package / Case: TO-220-3
  • Base Part Number: STP11N
  • detail: N-Channel 650V 7A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220

محصولات مشابه