STW26N65DM2 دیتاشیت

STW26N65DM2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STW26N65DM2
حجم فایل 271.291 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت STW26N65DM2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ DM2
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-247
  • Package / Case: TO-247-3
  • detail: N-Channel 650V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247

محصولات مشابه