STP35N65DM2 دیتاشیت

STP35N65DM2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STP35N65DM2
حجم فایل 722.345 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت STP35N65DM2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ DM2
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.3nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220
  • Package / Case: TO-220-3
  • detail: N-Channel 650V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220

محصولات مشابه