STW63N65DM2 دیتاشیت

STW63N65DM2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STW63N65DM2
حجم فایل 60.567 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت STW63N65DM2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: STMicroelectronics STW63N65DM2
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 446W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 120nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5.5nF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 3pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 42mΩ@10V,30A
  • Package: TO-247
  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: FDmesh™ II Plus
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs(th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V
  • Vgs (Max): -
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): -
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-247
  • Package / Case: TO-247-3
  • Base Part Number: STW63N
  • detail: N-Channel 650V 65A Through Hole TO-247

محصولات مشابه