CSD19501KCS دیتاشیت

CSD19501KCS

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CSD19501KCS
حجم فایل 799.949 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت CSD19501KCS

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • FET Type: N-Channel
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
  • Base Part Number: CSD1950
  • Supplier Device Package: TO-220-3
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 40V
  • FET Feature: -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 60A, 10V
  • Packaging: Tube
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Series: NexFET™
  • Package / Case: TO-220-3
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Part Status: Active
  • Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Manufacturer: Texas Instruments
  • detail: N-Channel 80V 100A (Ta) 217W (Tc) Through Hole TO-220-3

محصولات مشابه