IRF640FP دیتاشیت

IRF640(FP)

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRF640(FP)
حجم فایل 340.778 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

دانلود دیتاشیت IRF640(FP)

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MESH OVERLAY™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220FP
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
  • Base Part Number: IRF6
  • detail: N-Channel 200V 18A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP

محصولات مشابه