STB11NM60-1 دیتاشیت

STB11NM60-1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STB11NM60-1
حجم فایل 565.085 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت STB11NM60-1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

ST(P,B)11NM60(FP,-1) 12 pages

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
  • Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I2PAK
  • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Part Number: STB11N
  • detail: N-Channel 650V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK

محصولات مشابه