STB50NE10T4 دیتاشیت

STB50NE10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STB50NE10
حجم فایل 448.911 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت STB50NE10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: STripFET™
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
  • Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: STB50N
  • detail: N-Channel 100V 50A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه