STB30NM60ND دیتاشیت

STx30NM60ND

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STx30NM60ND
حجم فایل 817.747 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 18

مشاهده دیتاشیت STx30NM60ND

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: FDmesh™ II
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 50V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: STB30N
  • detail: N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه