STP19NM50N دیتاشیت

STx19NM50N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STx19NM50N
حجم فایل 751.079 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 18

مشاهده دیتاشیت STx19NM50N

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ II
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 50V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220AB
  • Package / Case: TO-220-3
  • Base Part Number: STP19N
  • detail: N-Channel 500V 14A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB

محصولات مشابه