IRF630FP دیتاشیت

IRF630(FP)

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRF630(FP)
حجم فایل 458.453 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت IRF630(FP)

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MESH OVERLAY™ II
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
  • Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220FP
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
  • Base Part Number: IRF6
  • detail: N-Channel 200V 9A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP

محصولات مشابه