STI11NM60ND دیتاشیت

STx11NM60ND

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STx11NM60ND
حجم فایل 1724.419 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 19

مشاهده دیتاشیت STx11NM60ND

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: FDmesh™ II
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 50V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I2PAK
  • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Part Number: STI11N
  • detail: N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK

محصولات مشابه