STI18NM60N دیتاشیت

STx18NM60N Datasheet

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STx18NM60N Datasheet
حجم فایل 1016.881 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 18

مشاهده دیتاشیت STx18NM60N Datasheet

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ II
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 50V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
  • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Part Number: STI18N
  • detail: N-Channel 600V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)

محصولات مشابه