STI200N6F3 دیتاشیت

STx200N6F3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STx200N6F3
حجم فایل 872.966 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 16

مشاهده دیتاشیت STx200N6F3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: STripFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6265pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
  • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Part Number: STI200N
  • detail: N-Channel 60V 120A (Tc) 330W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)

محصولات مشابه