STB18N55M5 دیتاشیت

STB,D,F,P18N55M5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STB,D,F,P18N55M5
حجم فایل 1577.448 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 24

مشاهده دیتاشیت STB,D,F,P18N55M5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ V
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 550V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: STB18N
  • detail: N-Channel 550V 16A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه