STI12N65M5 دیتاشیت

STx12N65M5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STx12N65M5
حجم فایل 1112.842 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 23

دانلود دیتاشیت STx12N65M5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ V
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I2PAK
  • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Part Number: STI12N
  • detail: N-Channel 650V 8.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK