STFI11NM65N دیتاشیت

STx(x)11NM65N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STx(x)11NM65N
حجم فایل 1288.28 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 21

مشاهده دیتاشیت STx(x)11NM65N

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ II
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281)
  • Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
  • Base Part Number: STFI11N
  • detail: N-Channel 650V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)