APTM100H45SCTG دیتاشیت

APTM100H45SCTG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت APTM100H45SCTG
حجم فایل 709.7 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت APTM100H45SCTG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • Manufacturer: Microchip Technology
  • Series: POWER MOS 7®
  • Packaging: Bulk
  • Part Status: Active
  • FET Type: 4 N-Channel (H-Bridge)
  • FET Feature: Standard
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 25V
  • Power - Max: 357W
  • Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Chassis Mount
  • Package / Case: SP4
  • Supplier Device Package: SP4
  • detail: Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4

محصولات مشابه