CSD25301W1015 دیتاشیت

CSD25301W1015

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CSD25301W1015
حجم فایل 700.411 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت CSD25301W1015

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Part Status: Obsolete
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (Max): ±8V
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Series: NexFET™
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
  • FET Type: P-Channel
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 1A, 4.5V
  • FET Feature: -
  • Manufacturer: Texas Instruments
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Base Part Number: CSD2530
  • Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
  • Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
  • detail: P-Channel 20V 2.2A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)

محصولات مشابه