CSD25302Q2 دیتاشیت

CSD25302Q2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CSD25302Q2
حجم فایل 136.571 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت CSD25302Q2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • FET Feature: -
  • FET Type: P-Channel
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3A, 4.5V
  • Base Part Number: CSD2530
  • Supplier Device Package: 6-SON
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Part Status: Obsolete
  • Vgs (Max): ±8V
  • Series: NexFET™
  • Manufacturer: Texas Instruments
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • detail: P-Channel 20V 5A (Tc) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-SON

محصولات مشابه