APT45GP120B2DQ2G دیتاشیت

APT45GP120B2DQ2(G)

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت APT45GP120B2DQ2(G)
حجم فایل 446.935 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت APT45GP120B2DQ2(G)

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: Microchip Technology
  • Series: POWER MOS 7®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • IGBT Type: PT
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 113A
  • Current - Collector Pulsed (Icm): 170A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
  • Power - Max: 625W
  • Switching Energy: 900µJ (on), 905µJ (off)
  • Input Type: Standard
  • Gate Charge: 185nC
  • Td (on/off) @ 25°C: 18ns/100ns
  • Test Condition: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-247-3 Variant
  • detail: IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole

محصولات مشابه