BFU530AR دیتاشیت

BFU530A

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BFU530A
حجم فایل 301.752 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 22

دانلود دیتاشیت BFU530A

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: NXP Semicon BFU530AR
  • Transistor Type: NPN
  • Collector Current (Ic): 40mA
  • Power Dissipation (Pd): 450mW
  • Transition Frequency (fT): 11GHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 60@10mA,8V
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 12V
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: NXP Semicon
  • Series: Automotive, AEC-Q101
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
  • Frequency - Transition: 11GHz
  • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
  • Gain: 18dB
  • Power - Max: 450mW
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
  • Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
  • Base Part Number: BFU53
  • detail: RF Transistor NPN 12V 40mA 11GHz 450mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)

محصولات مشابه