BFU590GX دیتاشیت

BFU590G Datasheet

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BFU590G Datasheet
حجم فایل 284.668 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 19

مشاهده دیتاشیت BFU590G Datasheet

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: NXP Semicon BFU590GX
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Transition Frequency (fT): 8.5GHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 60@80mA,8V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 1nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 12V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): -
  • Package: SOT-223-4
  • Manufacturer: NXP Semicon
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
  • Frequency - Transition: 8.5GHz
  • Noise Figure (dB Typ @ f): -
  • Gain: 8dB
  • Power - Max: 2W
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
  • Supplier Device Package: SOT-223
  • Base Part Number: BFU59
  • detail: RF Transistor NPN 12V 200mA 8.5GHz 2W Surface Mount SOT-223

محصولات مشابه