AFT09MS007NT1 دیتاشیت

AFT09MS007NT1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت AFT09MS007NT1
حجم فایل 87.003 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 28

مشاهده دیتاشیت AFT09MS007NT1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: NXP Semicon AFT09MS007NT1
  • Power Dissipation (Pd): 7.3W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: PLD-1.5W
  • Manufacturer: NXP Semicon
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • Transistor Type: LDMOS
  • Frequency: 870MHz
  • Gain: 15.2dB
  • Voltage - Test: 7.5V
  • Current Rating (Amps): -
  • Noise Figure: -
  • Current - Test: 100mA
  • Power - Output: 7.3W
  • Voltage - Rated: 30V
  • Package / Case: PLD-1.5W
  • Supplier Device Package: PLD-1.5W
  • Base Part Number: AFT09
  • detail: RF Mosfet LDMOS 7.5V 100mA 870MHz 15.2dB 7.3W PLD-1.5W

محصولات مشابه