BFU520WF دیتاشیت

BFU520W

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BFU520W
حجم فایل 303.476 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 22

دانلود دیتاشیت BFU520W

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: NXP Semicon BFU520WF
  • Transistor Type: NPN
  • Collector Current (Ic): 30mA
  • Power Dissipation (Pd): 450mW
  • Transition Frequency (fT): 10GHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 60@5mA,8V
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 12V
  • Package: SOT-323-3(SC-70-3)
  • Manufacturer: NXP Semicon
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
  • Frequency - Transition: 10GHz
  • Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
  • Gain: 13dB
  • Power - Max: 450mW
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
  • Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: SC-70, SOT-323
  • Supplier Device Package: SOT-323-3
  • Base Part Number: BFU52
  • detail: RF Transistor NPN 12V 30mA 10GHz 450mW Surface Mount SOT-323-3

محصولات مشابه