BFU550WF دیتاشیت

BFU550W

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BFU550W
حجم فایل 303.777 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 22

دانلود دیتاشیت BFU550W

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: NXP Semicon BFU550WF
  • Transistor Type: NPN
  • Collector Current (Ic): 50mA
  • Power Dissipation (Pd): 450mW
  • Transition Frequency (fT): 11GHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 60@15mA,8V
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 12V
  • Package: SC-70
  • Manufacturer: NXP Semicon
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
  • Frequency - Transition: 11GHz
  • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
  • Gain: 12dB
  • Power - Max: 450mW
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
  • Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: SC-70, SOT-323
  • Supplier Device Package: SOT-323-3
  • Base Part Number: BFU55
  • detail: RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-323-3

محصولات مشابه