BFU910FX دیتاشیت

BFU910F

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BFU910F
حجم فایل 143.165 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت BFU910F

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: NXP Semicon BFU910FX
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 15mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 90GHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 2200@1.5mA,1.5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): -
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 9.5V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): -
  • Package: SOT-343
  • Manufacturer: NXP Semicon
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V
  • Gain: 13.5dB
  • Power - Max: 300mW
  • Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: SOT-343F
  • Supplier Device Package: SOT-343F
  • Base Part Number: BFU91
  • detail: RF Transistor NPN 9.5V 15mA 300mW Surface Mount SOT-343F

محصولات مشابه