PHT8N06LT,135 دیتاشیت

PHT8N06LT

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHT8N06LT
حجم فایل 170.869 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت PHT8N06LT

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±13V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: SOT-223
  • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
  • Base Part Number: PHT8
  • detail: N-Channel 55V 3.5A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223

محصولات مشابه