PHB129NQ04LT,118 دیتاشیت

PHB,PHP129NQ04LT

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHB,PHP129NQ04LT
حجم فایل 98.445 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت PHB,PHP129NQ04LT

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: PHB12
  • detail: N-Channel 40V 75A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه