PHB38N02LT,118 دیتاشیت

PHB,PHD38N02LT

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHB,PHD38N02LT
حجم فایل 240.049 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت PHB,PHD38N02LT-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 25A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1nC @ 5V
  • Vgs (Max): 12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 20V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 57.6W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: PHB38
  • detail: N-Channel 20V 44.7A (Tc) 57.6W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه