PMWD19UN,518 دیتاشیت

PMWD19UN

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PMWD19UN
حجم فایل 250.231 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت PMWD19UN

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: 2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478pF @ 10V
  • Power - Max: 2.3W
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Supplier Device Package: 8-TSSOP
  • Base Part Number: PMWD19
  • detail: Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.6A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP

محصولات مشابه