PMWD30UN,518 دیتاشیت

PMWD30UN

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PMWD30UN
حجم فایل 248.1 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت PMWD30UN

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: 2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478pF @ 10V
  • Power - Max: 2.3W
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Supplier Device Package: 8-TSSOP
  • Base Part Number: PMWD30
  • detail: Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP

محصولات مشابه