PHD16N03LT,118 دیتاشیت

PHD16N03LT

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHD16N03LT
حجم فایل 95.11 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت PHD16N03LT

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 30V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 32.6W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: DPAK
  • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Part Number: PHD16
  • detail: N-Channel 30V 16A (Tc) 32.6W (Tc) Surface Mount DPAK

محصولات مشابه