PHK4NQ20T,518 دیتاشیت

PHK4NQ20T

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHK4NQ20T
حجم فایل 239.458 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت PHK4NQ20T-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: 8-SO
  • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Part Number: PHK42
  • detail: N-Channel 200V 4A (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO

محصولات مشابه