PHM30NQ10T,518 دیتاشیت

PHM30NQ10T

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHM30NQ10T
حجم فایل 282.223 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت PHM30NQ10T-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: 8-HVSON (6x5)
  • Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
  • Base Part Number: PHM30
  • detail: N-Channel 100V 37.6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (6x5)

محصولات مشابه