PHD63NQ03LT,118 دیتاشیت

PHB,PHD,PHP63NQ03LT

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHB,PHD,PHP63NQ03LT
حجم فایل 274.311 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت PHB,PHD,PHP63NQ03LT-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: DPAK
  • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Part Number: PHD63
  • detail: N-Channel 30V 68.9A (Tc) 111W (Tc) Surface Mount DPAK

محصولات مشابه