BUK9907-55ATE,127 دیتاشیت

BUK9907-55ATE

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BUK9907-55ATE
حجم فایل 376.465 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 16

مشاهده دیتاشیت BUK9907-55ATE-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5836pF @ 25V
  • FET Feature: Temperature Sensing Diode
  • Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220-5
  • Package / Case: TO-220-5
  • Base Part Number: BUK99
  • detail: N-Channel 55V 75A (Tc) 272W (Tc) Through Hole TO-220-5

محصولات مشابه