PHT2NQ10T,135 دیتاشیت

PHT2NQ10T

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHT2NQ10T
حجم فایل 275.918 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت PHT2NQ10T

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 1.75A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
  • Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: SOT-223
  • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
  • Base Part Number: PHT2
  • detail: N-Channel 100V 2.5A (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount SOT-223

محصولات مشابه