PHU11NQ10T,127 دیتاشیت

PHU11NQ10T

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHU11NQ10T
حجم فایل 254.503 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت PHU11NQ10T

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 57.7W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I-PAK
  • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Part Number: PHU11
  • detail: N-Channel 100V 10.9A (Tc) 57.7W (Tc) Through Hole I-PAK

محصولات مشابه