PHU78NQ03LT,127 دیتاشیت

PHU78NQ03LT

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHU78NQ03LT
حجم فایل 180.588 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت PHU78NQ03LT

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 12V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I-PAK
  • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Part Number: PHU78
  • detail: N-Channel 25V 75A (Tc) 107W (Tc) Through Hole I-PAK

محصولات مشابه