PHW80NQ10T,127 دیتاشیت

PHW80NQ10T

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHW80NQ10T
حجم فایل 98.971 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت PHW80NQ10T-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-247-3
  • Package / Case: TO-247-3
  • Base Part Number: PHW80
  • detail: N-Channel 100V 80A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-247-3

محصولات مشابه