PHX18NQ11T,127 دیتاشیت

PHX18NQ11T

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHX18NQ11T
حجم فایل 86.758 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت PHX18NQ11T

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 110V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220F
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Base Part Number: PHX18
  • detail: N-Channel 110V 12.5A (Tc) 31.2W (Tc) Through Hole TO-220F

محصولات مشابه