PHX8NQ11T,127 دیتاشیت

PHX8NQ11T

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHX8NQ11T
حجم فایل 94.776 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت PHX8NQ11T-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 110V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220F
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Base Part Number: PHX8
  • detail: N-Channel 110V 7.5A (Tc) 27.7W (Tc) Through Hole TO-220F

محصولات مشابه