PH3855L,115 دیتاشیت

PH3855L

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PH3855L
حجم فایل 189.3 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت PH3855L

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
  • Package / Case: SC-100, SOT-669
  • Base Part Number: PH38
  • detail: N-Channel 55V 24A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

محصولات مشابه