SI4420DY,518 دیتاشیت

SI4420DY

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI4420DY
حجم فایل 260.113 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت SI4420DY

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: 8-SO
  • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Part Number: SI4
  • detail: N-Channel 30V 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

محصولات مشابه